成膜(CVD・PVD)

HfO2のゲート絶縁膜をALDで成膜するときに使われる原料の組み合わせの例として正しいものはどれか。

  1. Aシランとアンモニア
  2. B六フッ化タングステンと水素
  3. C四塩化ハフニウム(HfCl4)や有機ハフニウム化合物と、水やオゾンなどの酸化剤
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正解：C. 四塩化ハフニウム(HfCl4)や有機ハフニウム化合物と、水やオゾンなどの酸化剤

HfO2のALDでは、HfCl4やTEMAHfなどのハフニウムの原料と、H2OやO3などの酸化剤を交互に供給し、表面反応で1層ずつ成膜します。原料の種類によって成膜温度や膜中の不純物(塩素や炭素)が変わります。

  • A. シランとアンモニアはシリコン窒化膜の原料です。
  • B. 六フッ化タングステンと水素はタングステンのCVDの原料です。
  • C. 正しい。ハフニウムの原料と酸化剤を交互に供給します。
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