スパッタした原子をイオン化し、ウエハにかけたバイアスで垂直に引き込むスパッタ方式の主な目的はどれか。

正解：A. 深い穴や溝の底部への膜の付き回り(ボトムカバレッジ)を改善する

通常のスパッタでは原子がさまざまな方向から飛んでくるため、深い穴の底には膜が付きにくくなります。スパッタされた原子をプラズマ中でイオン化し、ウエハのバイアスで垂直に引き込むと、穴の底まで膜を付けやすくなります。バリア層やシード層の形成に使われます。