Ionenimplantatie

Wat is een veelvoorkomend probleem bij het verwijderen van fotoresist dat een implantatie met hoge dosis heeft ondergaan?

  1. ADe resist wordt transparant
  2. BHet oppervlak wordt een verkoolde, geharde laag, en bij plotselinge verhitting met gewone ashing barst die gemakkelijk door gas uit het binnenste (popping)
  3. CDe resist lost in water op en verdwijnt
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Het oppervlak wordt een verkoolde, geharde laag, en bij plotselinge verhitting met gewone ashing barst die gemakkelijk door gas uit het binnenste (popping)

Resist die een implantatie met hoge dosis heeft ondergaan, verliest waterstof aan het oppervlak, verkoolt en wordt een harde schil (crust) van enkele tientallen nm. Bij ashing op hoge temperatuur barst de schil door gas uit de zachte resist eronder (popping), wat residuen en deeltjes veroorzaakt. Maatregelen zijn nodig, zoals stapsgewijs vanaf lage temperatuur behandelen of de schil eerst met een waterstofplasma verwijderen, en de strip na implantatie, inclusief het verwijderen van residuen, is een van de moeilijke processtappen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Ionenimplantatie

  1. Welke parameter bepaalt bij ionenimplantatie vooral de diepte (range) waarop de dopeerstof wordt ingeschoten?
  2. Wat is het juiste hoofddoel van een anneal (warmtebehandeling) na ionenimplantatie?
  3. Welke methode wordt gewoonlijk gebruikt om channeling (het verschijnsel dat ionen door de ruimten in het kristal te diep doordringen) bij ionenimplantatie te onderdrukken?
  4. Welke eenheid drukt de dosis van ionenimplantatie juist uit?
  5. Welke maatregel om ondiepe juncties te maken in source en drain van kleine transistors is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp