Wat is de juiste oorzaak waarom dopeerstof bij implantatie nabij de rand van een masker zijdelings onder het masker doordringt?

Antwoord: C. Omdat geïmplanteerde ionen door botsingen met atomen ook zijdelings verstrooid worden (laterale spreiding)

Geïmplanteerde ionen komen tot stilstand door herhaalde botsingen met atomen, dus ze spreiden niet alleen in de diepterichting maar ook zijdelings, met een standaardafwijking van dezelfde orde als ΔRp in de diepterichting (enkele nm tot enkele tientallen nm). Daardoor dringt dopeerstof ook onder de rand van het masker door, wat de overlap tussen gate en source/drain en de effectieve kanaallengte beïnvloedt. Bij kleine transistors wordt ook deze laterale spreiding met simulatie in het ontwerp meegenomen.