Nederlands
Menu

Ionenimplantatie

Welke verdeling van de door ionenimplantatie veroorzaakte kristalschade is in het algemeen juist?

  1. AGeconcentreerd aan alleen het oppervlak
  2. BGeconcentreerd aan de achterzijde van de wafer
  3. COntstaat vooral rond de diepte waar de ionen stoppen (range), iets ondieper daarvan
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Ontstaat vooral rond de diepte waar de ionen stoppen (range), iets ondieper daarvan

Zolang ionen snel zijn, verliezen ze energie vooral door wisselwerking met elektronen (elektronische stopping) en slaan ze weinig atomen weg. Als de snelheid daalt, worden botsingen met atoomkernen (nucleaire stopping) dominant en worden atomen achter elkaar weggeslagen. Daarom ontstaat de kristalschade het meest rond de range waar de ionen stoppen en iets daarvoor (op ongeveer 0,7-0,8 keer Rp). Direct onder het oppervlak is relatief weinig schade, en de schadeverdeling ligt iets ondieper dan de dopeerstofverdeling.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Ionenimplantatie

  1. Welke methode wordt gewoonlijk gebruikt om dopeerstof in de polysiliciumgate-elektrode van een MOSFET in te brengen om die een lage weerstand te geven?
  2. Hoe heet de methode waarbij n-type dopeerstof in een reeds p-type gebied wordt geïmplanteerd om de netto dopeerconcentratie te verlagen of het geleidingstype om te keren?
  3. Wat is de oorzaak van „energy contamination”, waarop moet worden gelet bij implantatie met lage energie in vertragingsmodus (de bundel met hoge energie transporteren en vlak voor de wafer afremmen)?
  4. Wat is de juiste oorzaak waarom dopeerstof bij implantatie nabij de rand van een masker zijdelings onder het masker doordringt?
  5. Welke combinatie van de twee mechanismen waarmee geïmplanteerde ionen energie in een materiaal verliezen, is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp