Nederlands
Menu

Ionenimplantatie

Hoe heet de methode waarbij n-type dopeerstof in een reeds p-type gebied wordt geïmplanteerd om de netto dopeerconcentratie te verlagen of het geleidingstype om te keren?

  1. AGettering
  2. BPassivering
  3. CCounter-doping (compensatie)
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Counter-doping (compensatie)

Als dopeerstof van het tegengestelde geleidingstype wordt bijgeïmplanteerd, heffen donoren en acceptoren elkaar op (compensatie), daalt de netto ladingdragerconcentratie en keert bij een grote hoeveelheid het geleidingstype om. Het wordt gebruikt om de concentratie alleen aan het kanaaloppervlak te verlagen voor drempelspanningsinstelling en om buried channels te maken. Omdat de totale hoeveelheid dopeerstof toeneemt en de verstrooiing aan geïoniseerde dopeerstof sterker wordt, daalt de mobiliteit echter gemakkelijk en kan het ook een oorzaak van variatie zijn.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Ionenimplantatie

  1. Wat is de oorzaak van „energy contamination”, waarop moet worden gelet bij implantatie met lage energie in vertragingsmodus (de bundel met hoge energie transporteren en vlak voor de wafer afremmen)?
  2. Wat is de juiste oorzaak waarom dopeerstof bij implantatie nabij de rand van een masker zijdelings onder het masker doordringt?
  3. Welke combinatie van de twee mechanismen waarmee geïmplanteerde ionen energie in een materiaal verliezen, is juist?
  4. Waarom wordt bij het implanteren van aluminium en dergelijke in SiC vaak geïmplanteerd terwijl de wafer tot enkele honderden °C wordt verhit (hogetemperatuurimplantatie)?
  5. Welk element, zwaarder dan boor, is als p-type dopeerstof onderzocht en gebruikt om een steil retrograde verdeling in het kanaal van nMOS te maken?

Vergelijkingen bij dit onderwerp