Nederlands
Menu

Ionenimplantatie

Wat is de belangrijkste reden om het pad van de bundel in een ionenimplanter onder hoog vacuüm te houden?

  1. AOm het apparaat lichter te maken
  2. BOm de wafer te koelen
  3. COm te voorkomen dat ionen met gasmoleculen botsen en daardoor verstrooid of geneutraliseerd worden
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Om te voorkomen dat ionen met gasmoleculen botsen en daardoor verstrooid of geneutraliseerd worden

Als er gas in het pad van de bundel achterblijft, botsen ionen met gasmoleculen, veranderen van richting of verliezen hun lading en worden neutraal. Neutrale deeltjes worden niet door de Faraday-cup geteld en zijn ook niet te regelen met de velden voor scannen en afremmen, zodat niet meer op de beoogde plaats, met de beoogde energie en dosis kan worden geïmplanteerd. Daarom wordt de bundellijn op een hoog vacuüm van ongeveer 10⁻⁴ Pa of lager gehouden, en is ook het wegpompen van gas uit resist belangrijk.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Ionenimplantatie

  1. Wat is de juiste volgorde waarin ionen door een gangbare ionenimplanter gaan?
  2. Welke relatie tussen de range van arseen (massagetal 75) en fosfor (massagetal 31) is juist bij implantatie in silicium met dezelfde versnellingsenergie?
  3. Hoe groot is de energie van tweewaardige ionen (dubbele lading) die in een ionenimplanter met een versnelspanning van 50 kV worden versneld?
  4. Welke ionenimplanter wordt vooral gebruikt voor implantaties met een gemiddelde dosis, zoals de drempelspanningsinstelling van MOSFET's en wells?
  5. Hoe heet het paar van een vacature en een interstitieel atoom dat in het kristal ontstaat wanneer een geïmplanteerd ion een siliciumatoom wegslaat?

Vergelijkingen bij dit onderwerp