Welke methode wordt gewoonlijk gebruikt om channeling (het verschijnsel dat ionen door de ruimten in het kristal te diep doordringen) bij ionenimplantatie te onderdrukken?

Antwoord: C. De wafer enkele graden ten opzichte van de kristalas kantelen bij het implanteren

Wanneer ionen langs de atoomrijen van het kristal binnenkomen, passeren ze de ruimten (kanalen) tussen de atoomrijen met weinig botsingen en dringen dieper door dan bedoeld (channeling). Het wordt onderdrukt door de wafer ongeveer 7° ten opzichte van de kristalas te kantelen en ook de rotatiehoek te verschuiven, door via een dunne oxidefilm aan het oppervlak (screen-oxide) de richting te verspreiden, of door het oppervlak vooraf amorf te maken. De diepe staart van de verdeling neemt af en de junctie wordt ondieper.