Wat is de belangrijkste reden om de wafer tijdens ionenimplantatie met grote stroom te koelen?

Antwoord: B. Om te voorkomen dat de temperatuur van de wafer door de bundelenergie stijgt en de maskerresist verandert of de implantatietoestand verandert

Bij implantatie met grote stroom komt bijvoorbeeld bij enkele tientallen keV × enkele tientallen mA bundelenergie van enkele honderden W tot bijna 1 kW in de wafer, en zonder koeling stijgt de temperatuur tot boven 100 °C. Als de resist vervormt of verandert, wijzigen de afmetingen van het masker of wordt verwijderen moeilijk. Omdat ook de mate van schadeherstel (de neiging tot amorfisering) met de temperatuur verandert, wordt de wafer met een elektrostatische chuck gekoeld en wordt de temperatuur beheerd. Tegenwoordig is er ook een methode om juist bij lage temperatuur te implanteren om de aard van de schade te regelen.