Nederlands
Menu

Ionenimplantatie

Welke methode is juist om bij ionenimplantatie de dosis binnen het waferoppervlak uniform te maken?

  1. ADe bundel op één punt gericht houden
  2. BDe bundel of de wafer scannen, zodat de hele wafer uniform wordt bestraald
  3. CDe wafer voortdurend verhitten
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. De bundel of de wafer scannen, zodat de hele wafer uniform wordt bestraald

Omdat de ionenbundel kleiner is dan de wafer, wordt geïmplanteerd terwijl het hele oppervlak wordt gescand: de bundel wordt met elektrische of magnetische velden heen en weer bewogen, de wafer wordt mechanisch bewogen, of de bundel wordt tot een lint verbreed en de wafer in één richting bewogen. Door de scansnelheid per positie te corrigeren en de bundelverdeling met een Faraday-cup te meten en terug te koppelen, wordt de dosisvariatie binnen de wafer tot ongeveer 0,5% of minder beperkt.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Ionenimplantatie

  1. Welk onderdeel van een ionenimplanter meet de bundelstroom om de hoeveelheid geïmplanteerde ionen (dosis) te bepalen?
  2. Wat is het belangrijkste doel van het samen met boor implanteren (co-implantatie) van onder meer koolstof bij het maken van een ondiepe p-junctie?
  3. Welk gas wordt kenmerkend gebruikt in de ionenbron van een ionenimplanter om boorionen te maken?
  4. Welk voorbeeld van een toepassing van ionenimplantatie met hoge energie tot enkele MeV is juist?
  5. Als dopeerstof met een dosis van 1×10¹⁵ cm⁻² uniform over een diepte van 100 nm is verdeeld, hoe groot is dan de gemiddelde concentratie ongeveer?

Vergelijkingen bij dit onderwerp