Nederlands
Menu

Ionenimplantatie

Wat wordt gebruikt om oplading (charge-up) van de wafer tijdens ionenimplantatie te onderdrukken?

  1. ADe wafer tot hoge temperatuur verhitten
  2. BDe bundelstroom maximaliseren
  3. CEen apparaat dat elektronen levert om de lading te neutraliseren (zoals een plasma flood gun)
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Een apparaat dat elektronen levert om de lading te neutraliseren (zoals een plasma flood gun)

Als voortdurend positieve ionen worden geïmplanteerd, laden het oppervlak van geïsoleerde gates en resist op de wafer op, kan op de enkele nm dunne gateoxidefilm een hoog elektrisch veld komen te staan waardoor die doorslaat, en kan de bundel worden afgebogen. Daarom wordt een plasma flood gun (PFG) gebruikt, die uit een plasma van onder meer argon elektronen met lage energie in de buurt van de wafer brengt en de positieve lading neutraliseert. Als de elektronenenergie te hoog is, laadt de wafer juist negatief op, dus afstelling is nodig.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Ionenimplantatie

  1. Eenwaardige ionen worden geïmplanteerd in een wafer met een oppervlak van 100 cm² met een dosis van 1×10¹⁵ ions/cm². Hoe lang duurt de implantatie ongeveer bij een bundelstroom van 1 mA? (Elementaire lading 1,6×10⁻¹⁹ C)
  2. Hoe heet bij de wellvorming in CMOS de well waarin met hoge-energie-ionenimplantatie de dopeerconcentratie dieper dan aan het oppervlak hoog is gemaakt?
  3. Wat is het belangrijkste doel van halo-(pocket-)implantatie, waarbij schuin dopeerstof van hetzelfde geleidingstype als het kanaal aan de rand van source en drain wordt geïmplanteerd?
  4. Waarom wordt voor het maken van een ondiepe p-laag soms BF2⁺-ionen in plaats van boor alleen geïmplanteerd?
  5. Hoe heet het verschijnsel waarbij in de beginfase van de anneal na ionenimplantatie de diffusie van boor en dergelijke tijdelijk sneller verloopt door de invloed van interstitieel silicium dat door de implantatie is ontstaan?

Vergelijkingen bij dit onderwerp