Welk voorbeeld van een toepassing van ionenimplantatie met hoge energie tot enkele MeV is juist?

Antwoord: B. Het op grote diepte inbrengen van dopeerstof in onder meer beeldsensoren en vermogenscomponenten

Bij ionenimplantatie met hoge energie kan dopeerstof op een diepte van enkele µm tot ongeveer 10 µm onder het oppervlak worden ingebracht. Het wordt gebruikt voor onder meer diepe fotodiodes en pixelisolatie van CMOS-beeldsensoren, diepe lagen van vermogenscomponenten (zoals de pilaren van een superjunction) en de vorming van retrograde wells. Om energieën van enkele MeV te verkrijgen, worden lineaire versnellers (LINAC), die in meerdere trappen met hoogfrequent versnellen, of tandemtypen met negatieve ionen gebruikt.