Ionenimplantatie
Welke omschrijving van het principe van ionenimplantatie is juist?
- ADopeerstof wordt geïoniseerd, met een elektrisch veld versneld en in de wafer geschoten
- BDe wafer wordt ondergedompeld in een dopeerstofhoudende vloeistof
- CDe wafer wordt in een dopeerstofhoudend gas verhit, zodat de stof vanaf het oppervlak indringt
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: A. Dopeerstof wordt geïoniseerd, met een elektrisch veld versneld en in de wafer geschoten
Bij ionenimplantatie worden dopeerstoffen zoals boor en fosfor geïoniseerd, met massa-analyse geselecteerd en met een elektrisch veld versneld en met hoge snelheid in de wafer geschoten. De diepte kan nauwkeurig worden geregeld met de versnellingsenergie, de concentratie met het aantal ionen (dosis) en de plaats met een masker. Het werd in de jaren 70 in de massaproductie ingevoerd en verving thermische diffusie; in huidige LSI's worden voor één chip enkele tientallen implantatiestappen gebruikt.