Eenwaardige ionen worden geïmplanteerd in een wafer met een oppervlak van 100 cm² met een dosis van 1×10¹⁵ ions/cm². Hoe lang duurt de implantatie ongeveer bij een bundelstroom van 1 mA? (Elementaire lading 1,6×10⁻¹⁹ C)

Antwoord: C. Ongeveer 16 seconden

Het totale aantal geïmplanteerde ionen is 1×10¹⁵ × 100 = 1×10¹⁷ en hun lading is 1×10¹⁷ × 1,6×10⁻¹⁹ = 1,6×10⁻² C. Gedeeld door de stroom 1 mA = 1×10⁻³ C/s geeft dit 16 seconden. In een echt apparaat valt een deel van de bundel buiten de wafer en komt de scantijd voor heen en weer erbij, dus het duurt langer. Bundels van enkele tientallen mA in high-current-apparaten worden gebruikt om de productiviteit bij implantaties met hoge dosis te verhogen.