Wat is de oorzaak van „energy contamination”, waarop moet worden gelet bij implantatie met lage energie in vertragingsmodus (de bundel met hoge energie transporteren en vlak voor de wafer afremmen)?

Antwoord: A. Ionen die vóór het afremmen zijn geneutraliseerd, worden niet afgeremd en bereiken de wafer met hoge energie

In de vertragingsmodus wordt de bundel met een hoge energie van enkele tientallen keV getransporteerd en vlak voor de wafer afgeremd, zodat met enkele honderden eV tot enkele keV wordt geïmplanteerd. Omdat bundels met lage energie door ruimtelading gemakkelijk uitwaaieren, is dit een methode om een hoge stroom te verkrijgen. Deeltjes die onderweg door botsingen met restgas zijn geneutraliseerd, worden echter niet door het elektrische veld afgeremd, bereiken de wafer met hoge energie en dringen dieper door dan bedoeld. Zelfs enkele procenten bijmenging schaden ondiepe juncties, dus ze worden verwijderd met een beter vacuüm en een afbuigfilter.