Ionenimplantatie

Als dopeerstof met een dosis van 1×10¹⁵ cm⁻² uniform over een diepte van 100 nm is verdeeld, hoe groot is dan de gemiddelde concentratie ongeveer?

  1. A1×10¹⁸ cm⁻³
  2. B1×10²² cm⁻³
  3. C1×10²⁰ cm⁻³
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. 1×10²⁰ cm⁻³

De concentratie is „dosis ÷ diepte”, en omdat 100 nm = 1×10⁻⁵ cm is, is 1×10¹⁵ ÷ 1×10⁻⁵ = 1×10²⁰ cm⁻³. Vergeleken met de atoomdichtheid van silicium van 5×10²² cm⁻³ is dat 1 op de 500 atomen. Sterk gedoteerde gebieden zoals source en drain hebben een concentratie van deze orde, dicht bij de oplosbaarheid, dus de sleutel tot lage weerstand is hoe sterk de activering kan worden verhoogd. De werkelijke verdeling is gaussisch, dus de piekconcentratie is hoger dan dit gemiddelde.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Ionenimplantatie

  1. Welke ionenimplantatie wordt gebruikt voor het afsplitsen van wafers (Smart Cut) en voor lifetimecontrole in vermogenscomponenten?
  2. Hoe heet het defect dat achterblijft op een iets grotere diepte dan de grens tussen de oorspronkelijke amorfe laag en het kristal wanneer een amorf gemaakte laag opnieuw wordt gekristalliseerd?
  3. Welke omschrijving van het principe van ionenimplantatie is juist?
  4. Welke eenheid wordt gewoonlijk gebruikt om de versnellingsenergie bij ionenimplantatie uit te drukken?
  5. Welke combinatie van in silicium geïmplanteerde dopeerstof en geleidingstype is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp