Nederlands
Menu

Ionenimplantatie

Welke parameter bepaalt bij ionenimplantatie vooral de diepte (range) waarop de dopeerstof wordt ingeschoten?

  1. AVersnellingsenergie
  2. BDosis
  3. CReinigingstijd na de implantatie
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Versnellingsenergie

De implantatiediepte wordt vooral bepaald door de versnellingsenergie van de ionen: hoe hoger de energie, hoe dieper ze doordringen. Als richtwaarde dringt boor in silicium bij 10 keV ongeveer 30-40 nm door en bij 100 keV ongeveer 0,3 µm. Bij dezelfde energie dringen lichtere ionen dieper door, dus ook de ionsoort beïnvloedt de diepte. De dosis is het aantal ionen per oppervlakte-eenheid en bepaalt de concentratie; het is een sterk punt van ionenimplantatie dat deze onafhankelijk van de diepte kan worden ingesteld.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Ionenimplantatie

  1. Wat is het juiste hoofddoel van een anneal (warmtebehandeling) na ionenimplantatie?
  2. Welke methode wordt gewoonlijk gebruikt om channeling (het verschijnsel dat ionen door de ruimten in het kristal te diep doordringen) bij ionenimplantatie te onderdrukken?
  3. Welke eenheid drukt de dosis van ionenimplantatie juist uit?
  4. Welke maatregel om ondiepe juncties te maken in source en drain van kleine transistors is juist?
  5. Welke combinatie van de verdeling die de diepteverdeling van de dopeerstof na ionenimplantatie bij benadering beschrijft en de grootheid die de diepte van de piek aangeeft, is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp