Nederlands
Menu

Ionenimplantatie

Wat is het juiste hoofddoel van een anneal (warmtebehandeling) na ionenimplantatie?

  1. ADe geïmplanteerde dopeerstof laten verdampen en verwijderen
  2. BKristaldefecten herstellen en de dopeerstof op roosterplaatsen brengen zodat die elektrisch wordt geactiveerd
  3. CEen dikke oxidefilm op het waferoppervlak laten groeien
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Kristaldefecten herstellen en de dopeerstof op roosterplaatsen brengen zodat die elektrisch wordt geactiveerd

Geïmplanteerde ionen verstoren het siliciumkristal en blijven grotendeels op interstitiële plaatsen waar ze niet als donor of acceptor werken, dus direct na implantatie zijn ze nauwelijks elektrisch actief. Tijdens de anneal herstelt de kristalschade en worden dopeerstoffen op roosterplaatsen gebracht en geactiveerd. Om te sterke diffusie van de dopeerstof te voorkomen, worden RTA (enkele seconden met lampen verwarmen) en flashlamp- of laser-anneal in milliseconden of korter gebruikt.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Ionenimplantatie

  1. Welke methode wordt gewoonlijk gebruikt om channeling (het verschijnsel dat ionen door de ruimten in het kristal te diep doordringen) bij ionenimplantatie te onderdrukken?
  2. Welke eenheid drukt de dosis van ionenimplantatie juist uit?
  3. Welke maatregel om ondiepe juncties te maken in source en drain van kleine transistors is juist?
  4. Welke combinatie van de verdeling die de diepteverdeling van de dopeerstof na ionenimplantatie bij benadering beschrijft en de grootheid die de diepte van de piek aangeeft, is juist?
  5. Welk deel van een ionenimplanter selecteert met een magnetisch veld alleen de gewenste ionensoort?

Vergelijkingen bij dit onderwerp