Ionenimplantatie

Welk bereik komt het best overeen met het dosisbereik van ionenimplantatie dat bij de fabricage van LSI's wordt gebruikt?

  1. AOngeveer 10³⁰ cm⁻² of meer
  2. BOngeveer 10¹¹-10¹⁶ cm⁻²
  3. COngeveer 10¹-10³ cm⁻²
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Ongeveer 10¹¹-10¹⁶ cm⁻²

Bij onder meer drempelspanningsinstelling wordt ongeveer 10¹¹-10¹³ cm⁻² gebruikt, voor lage weerstand van source, drain en gate rond 10¹⁵ cm⁻², en voor waterstof bij Smart Cut 10¹⁶ cm⁻² of meer, een breed bereik van in totaal meer dan 5 ordes van grootte. Bij een implantatie van 10¹² cm⁻² komen er 1 biljoen ionen per cm², wat slechts ongeveer een duizendste is van het aantal atomen aan het oppervlak. Een sterk punt van ionenimplantatie is dat dit brede bereik met een nauwkeurigheid van ongeveer ±1% kan worden geregeld.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Ionenimplantatie

  1. Wat is de belangrijkste reden om het pad van de bundel in een ionenimplanter onder hoog vacuüm te houden?
  2. Wat is de juiste volgorde waarin ionen door een gangbare ionenimplanter gaan?
  3. Welke relatie tussen de range van arseen (massagetal 75) en fosfor (massagetal 31) is juist bij implantatie in silicium met dezelfde versnellingsenergie?
  4. Hoe groot is de energie van tweewaardige ionen (dubbele lading) die in een ionenimplanter met een versnelspanning van 50 kV worden versneld?
  5. Welke ionenimplanter wordt vooral gebruikt voor implantaties met een gemiddelde dosis, zoals de drempelspanningsinstelling van MOSFET's en wells?

Vergelijkingen bij dit onderwerp