Nederlands
Menu

Ionenimplantatie

Wat is het belangrijkste voordeel van ionenimplantatie ten opzichte van thermische diffusie?

  1. AHet kan bij lage temperatuur worden uitgevoerd en dosis en diepte zijn nauwkeurig te regelen
  2. BHet kan bij hoge temperatuur gedurende lange tijd worden uitgevoerd
  3. CHet veroorzaakt helemaal geen schade aan het kristal
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Het kan bij lage temperatuur worden uitgevoerd en dosis en diepte zijn nauwkeurig te regelen

Ionenimplantatie kan bij ongeveer kamertemperatuur worden uitgevoerd, zodat fotoresist als masker kan worden gebruikt, en de geïmplanteerde hoeveelheid kan met een nauwkeurigheid van ongeveer ±1% worden beheerd via de geïntegreerde bundelstroom. Ook de diepte is onafhankelijk met de energie te regelen en een breed doseringsbereik van 10¹¹ tot 10¹⁶ cm⁻² is hanteerbaar. Bij thermische diffusie zijn oppervlakteconcentratie en diepte aan elkaar gekoppeld en was door de hoge temperatuur een oxidemasker nodig. Ionenimplantatie veroorzaakt echter kristalschade, dus een anneal na de implantatie is nodig.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Ionenimplantatie

  1. Wat is het juiste doel van pre-amorphization implant (PAI)?
  2. Wat wordt gebruikt om oplading (charge-up) van de wafer tijdens ionenimplantatie te onderdrukken?
  3. Eenwaardige ionen worden geïmplanteerd in een wafer met een oppervlak van 100 cm² met een dosis van 1×10¹⁵ ions/cm². Hoe lang duurt de implantatie ongeveer bij een bundelstroom van 1 mA? (Elementaire lading 1,6×10⁻¹⁹ C)
  4. Hoe heet bij de wellvorming in CMOS de well waarin met hoge-energie-ionenimplantatie de dopeerconcentratie dieper dan aan het oppervlak hoog is gemaakt?
  5. Wat is het belangrijkste doel van halo-(pocket-)implantatie, waarbij schuin dopeerstof van hetzelfde geleidingstype als het kanaal aan de rand van source en drain wordt geïmplanteerd?

Vergelijkingen bij dit onderwerp