Nederlands
Menu

Ionenimplantatie

Welke maatregel om ondiepe juncties te maken in source en drain van kleine transistors is juist?

  1. AMet hoge energie implanteren en lang in een oven annealen
  2. BGeen ionenimplantatie gebruiken en alleen met thermische oxidatie vormen
  3. CMet lage energie implanteren en een anneal met zeer korte verhitting uitvoeren (spike-anneal, laser-anneal enzovoort)
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Met lage energie implanteren en een anneal met zeer korte verhitting uitvoeren (spike-anneal, laser-anneal enzovoort)

Om een ondiepe junctie te maken, wordt eerst ondiep geïmplanteerd met lage energie, bijvoorbeeld 1 keV of minder. Om te voorkomen dat de dopeerstof tijdens de anneal diffundeert en de junctie dieper wordt, worden spike-anneal (ongeveer 1050 °C, korter dan een seconde, direct afkoelen zonder op de piektemperatuur te blijven) en flashlamp- of laser-anneal (alleen het oppervlak in milliseconden of korter verhitten) gebruikt, zodat de diffusie tot enkele nm beperkt blijft terwijl wordt geactiveerd. Co-implantatie en pre-amorfisering worden ook gecombineerd.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Ionenimplantatie

  1. Welke combinatie van de verdeling die de diepteverdeling van de dopeerstof na ionenimplantatie bij benadering beschrijft en de grootheid die de diepte van de piek aangeeft, is juist?
  2. Welk deel van een ionenimplanter selecteert met een magnetisch veld alleen de gewenste ionensoort?
  3. Wat is het belangrijkste voordeel van ionenimplantatie ten opzichte van thermische diffusie?
  4. Wat is het juiste doel van pre-amorphization implant (PAI)?
  5. Wat wordt gebruikt om oplading (charge-up) van de wafer tijdens ionenimplantatie te onderdrukken?

Vergelijkingen bij dit onderwerp