Hoe heet het verschijnsel dat bij een gekantelde wafer bij ionenimplantatie delen niet worden geïmplanteerd omdat ze in de schaduw van hoge patronen zoals resist liggen?

Antwoord: C. Shadowing

Als de wafer voor maatregelen tegen channeling of voor halo-implantatie wordt gekanteld, bereiken ionen de delen in de schaduw van hoge resist of gates niet (shadowing). Het geïmplanteerde gebied wordt links-rechts asymmetrisch, wat de oorzaak is dat de transistoreigenschappen aan de source- en drainzijde verschillen. Daarom worden maatregelen genomen zoals implanteren uit 4 richtingen door de wafer telkens 90° te draaien (quad-modus) en wordt de hoogte van de resist en de kantelhoek ontworpen.