Nederlands
Menu

Ionenimplantatie

Welke methode wordt gewoonlijk gebruikt om dopeerstof in de polysiliciumgate-elektrode van een MOSFET in te brengen om die een lage weerstand te geven?

  1. ALicht op de gate laten vallen
  2. BIonenimplantatie (vaak tegelijk met source en drain)
  3. CDe gate lange tijd in water onderdompelen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Ionenimplantatie (vaak tegelijk met source en drain)

Een polysiliciumgate krijgt geleidbaarheid door dopeerstof in hoge concentratie van ongeveer 10²⁰ cm⁻³ of meer in te brengen. Voor nMOS wordt n-type en voor pMOS p-type dopeerstof meestal tegelijk met de implantatie van source en drain geïmplanteerd (dual gate), waarmee ook de drempelspanning symmetrisch kan worden ontworpen. De ingebrachte dopeerstof wordt met anneal geactiveerd, maar als die niet voldoende tot onder in de gate wordt geactiveerd, treedt gate-depletie op.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Ionenimplantatie

  1. Hoe heet de methode waarbij n-type dopeerstof in een reeds p-type gebied wordt geïmplanteerd om de netto dopeerconcentratie te verlagen of het geleidingstype om te keren?
  2. Wat is de oorzaak van „energy contamination”, waarop moet worden gelet bij implantatie met lage energie in vertragingsmodus (de bundel met hoge energie transporteren en vlak voor de wafer afremmen)?
  3. Wat is de juiste oorzaak waarom dopeerstof bij implantatie nabij de rand van een masker zijdelings onder het masker doordringt?
  4. Welke combinatie van de twee mechanismen waarmee geïmplanteerde ionen energie in een materiaal verliezen, is juist?
  5. Waarom wordt bij het implanteren van aluminium en dergelijke in SiC vaak geïmplanteerd terwijl de wafer tot enkele honderden °C wordt verhit (hogetemperatuurimplantatie)?

Vergelijkingen bij dit onderwerp