Nederlands
Menu

Ionenimplantatie

Hoe heet het paar van een vacature en een interstitieel atoom dat in het kristal ontstaat wanneer een geïmplanteerd ion een siliciumatoom wegslaat?

  1. AFrenkel-paar
  2. BCooper-paar
  3. CElektron-gatpaar
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Frenkel-paar

Wanneer een geïmplanteerd ion tegen een siliciumatoom botst, wordt het atoom van zijn plaats geslagen en wordt het een interstitieel atoom, terwijl op de oorspronkelijke plaats een vacature achterblijft. Dit paar is het Frenkel-paar, en één ion kan honderden tot duizenden Frenkel-paren maken. Bij een hoge dosis overlappen de schades en ontstaat een amorfe laag. Bij de anneal recombineert het grootste deel en herstelt het, maar het resterende interstitiële silicium is de oorzaak van transient enhanced diffusion en EOR-defecten.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Ionenimplantatie

  1. Wat is de belangrijkste reden om de wafer tijdens ionenimplantatie met grote stroom te koelen?
  2. Welke verdeling van de door ionenimplantatie veroorzaakte kristalschade is in het algemeen juist?
  3. Welke methode wordt gewoonlijk gebruikt om dopeerstof in de polysiliciumgate-elektrode van een MOSFET in te brengen om die een lage weerstand te geven?
  4. Hoe heet de methode waarbij n-type dopeerstof in een reeds p-type gebied wordt geïmplanteerd om de netto dopeerconcentratie te verlagen of het geleidingstype om te keren?
  5. Wat is de oorzaak van „energy contamination”, waarop moet worden gelet bij implantatie met lage energie in vertragingsmodus (de bundel met hoge energie transporteren en vlak voor de wafer afremmen)?

Vergelijkingen bij dit onderwerp