Ionenimplantatie

Welke combinatie van de twee mechanismen waarmee geïmplanteerde ionen energie in een materiaal verliezen, is juist?

  1. ABotsingen met atoomkernen (nucleaire stopping) en wisselwerking met elektronen (elektronische stopping)
  2. BWarmtegeleiding en straling
  3. CElektrische weerstand en magnetoweerstand
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Botsingen met atoomkernen (nucleaire stopping) en wisselwerking met elektronen (elektronische stopping)

Het energieverlies van ionen wordt ingedeeld in nucleaire stopping door elastische botsingen met atoomkernen en elektronische stopping door excitatie en ionisatie van elektronen in het materiaal. Bij zware ionen en lage energie is nucleaire stopping dominant, bij lichte ionen en hoge energie elektronische stopping; bij boor in silicium is elektronische stopping bijvoorbeeld bij ruim 10 keV of meer dominant. Nucleaire stopping is de belangrijkste oorzaak van kristalschade, en dit wordt berekend met de LSS-theorie en simulaties zoals SRIM.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Ionenimplantatie

  1. Waarom wordt bij het implanteren van aluminium en dergelijke in SiC vaak geïmplanteerd terwijl de wafer tot enkele honderden °C wordt verhit (hogetemperatuurimplantatie)?
  2. Welk element, zwaarder dan boor, is als p-type dopeerstof onderzocht en gebruikt om een steil retrograde verdeling in het kanaal van nMOS te maken?
  3. Wat is een veelvoorkomend probleem bij het verwijderen van fotoresist dat een implantatie met hoge dosis heeft ondergaan?
  4. Welke parameter bepaalt bij ionenimplantatie vooral de diepte (range) waarop de dopeerstof wordt ingeschoten?
  5. Wat is het juiste hoofddoel van een anneal (warmtebehandeling) na ionenimplantatie?

Vergelijkingen bij dit onderwerp