Welk voordeel van plasma doping, waarbij de wafer rechtstreeks aan een dopeerstofhoudend plasma wordt blootgesteld en ionen met lage energie worden geïmplanteerd, is juist?

Antwoord: B. Implantatie met lage energie en hoge dosis is gemakkelijk, en ook driedimensionale structuren kunnen relatief gelijkmatig worden gedoteerd

Plasma doping bestraalt, anders dan methoden met een gescande bundel, in één keer het hele waferoppervlak met ionen, zodat ook bij lage energie van 1 keV of minder een hoge dosis van 10¹⁵-10¹⁶ cm⁻² in korte tijd kan worden geïmplanteerd. Omdat ionen en radicalen uit allerlei richtingen aankomen, kunnen ook de zijkanten van driedimensionale structuren, zoals de vinnen van een FinFET, gemakkelijk worden gedoteerd. Aan de andere kant komen door het ontbreken van massa-analyse ook ongewenste elementen mee, en het meten en regelen van de dosis is een uitdaging.