Nederlands
Menu

Ionenimplantatie

Wat is het belangrijkste doel van halo-(pocket-)implantatie, waarbij schuin dopeerstof van hetzelfde geleidingstype als het kanaal aan de rand van source en drain wordt geïmplanteerd?

  1. ADe weerstand van de gate-elektrode verlagen
  2. BHet short-channel-effect onderdrukken
  3. CDe transistor licht laten uitstralen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Het short-channel-effect onderdrukken

Bij halo-implantatie wordt de wafer ongeveer 20-45° gekanteld en wordt dopeerstof van hetzelfde geleidingstype als het kanaal lokaal in de buurt van de source- en drainranden aangebracht, zodat die onder de gate reikt. Doordat de uitputtingszone die zich vanuit de drain uitbreidt wordt onderdrukt, worden ook bij kleinere gatelengte de daling van de drempelspanning en punch-through onderdrukt. De mobiliteit daalt minder dan wanneer het hele kanaal hoger wordt gedoteerd, en het was standaard in kleine planaire transistors.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Ionenimplantatie

  1. Waarom wordt voor het maken van een ondiepe p-laag soms BF2⁺-ionen in plaats van boor alleen geïmplanteerd?
  2. Hoe heet het verschijnsel waarbij in de beginfase van de anneal na ionenimplantatie de diffusie van boor en dergelijke tijdelijk sneller verloopt door de invloed van interstitieel silicium dat door de implantatie is ontstaan?
  3. Welke ionenimplanter wordt gebruikt om, zoals bij de vorming van source en drain, een grote dosis in korte tijd te implanteren?
  4. Wat gebeurt er in het algemeen met de laagweerstand van de geïmplanteerde laag als bij dezelfde annealomstandigheden de ionendosis wordt verhoogd?
  5. Waarop moet worden gelet bij het gebruik van fotoresist als masker voor ionenimplantatie?

Vergelijkingen bij dit onderwerp