Nederlands
Menu

Ionenimplantatie

Hoe heet bij de wellvorming in CMOS de well waarin met hoge-energie-ionenimplantatie de dopeerconcentratie dieper dan aan het oppervlak hoog is gemaakt?

  1. ARetrograde well
  2. BLDD
  3. CSilicide
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Retrograde well

Een retrograde well is een well die door implantatie met hoge energie van enkele honderden keV tot de MeV-klasse een concentratiepiek op grote diepte heeft. Terwijl de concentratie aan het oppervlak laag wordt gehouden, passend bij de transistoreigenschappen, wordt op grote diepte een hoge concentratie gemaakt, waardoor punch-through en latch-up (werking van een parasitaire thyristor) worden onderdrukt. Een voordeel is ook dat de thermische diffusie van meerdere uren bij 1000 °C of hoger, zoals bij conventionele diffusiewells, niet nodig is, waardoor thermisch budget en procestijd sterk afnemen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Ionenimplantatie

  1. Wat is het belangrijkste doel van halo-(pocket-)implantatie, waarbij schuin dopeerstof van hetzelfde geleidingstype als het kanaal aan de rand van source en drain wordt geïmplanteerd?
  2. Waarom wordt voor het maken van een ondiepe p-laag soms BF2⁺-ionen in plaats van boor alleen geïmplanteerd?
  3. Hoe heet het verschijnsel waarbij in de beginfase van de anneal na ionenimplantatie de diffusie van boor en dergelijke tijdelijk sneller verloopt door de invloed van interstitieel silicium dat door de implantatie is ontstaan?
  4. Welke ionenimplanter wordt gebruikt om, zoals bij de vorming van source en drain, een grote dosis in korte tijd te implanteren?
  5. Wat gebeurt er in het algemeen met de laagweerstand van de geïmplanteerde laag als bij dezelfde annealomstandigheden de ionendosis wordt verhoogd?

Vergelijkingen bij dit onderwerp