Nederlands
Menu

Ionenimplantatie

Welke ionenimplantatie wordt gebruikt voor het afsplitsen van wafers (Smart Cut) en voor lifetimecontrole in vermogenscomponenten?

  1. AImplantatie van arseen met hoge dosis
  2. BImplantatie van lichte ionen zoals waterstof en helium
  3. CImplantatie van antimoon met lage energie
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Implantatie van lichte ionen zoals waterstof en helium

Als ongeveer 5×10¹⁶ cm⁻² waterstof wordt geïmplanteerd, ontstaan op de geïmplanteerde diepte kleine holtes naast elkaar, en met een warmtebehandeling bij ongeveer 400-500 °C kan daar een laag worden afgesplitst (Smart Cut). Omdat door waterstof- of heliumimplantatie gemaakte defecten als recombinatiecentra werken, wordt het ook gebruikt om de levensduur van ladingdragers alleen op een bepaalde diepte van IGBT's en diodes te verkorten en staartstroom en reverse recovery sneller te maken.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Ionenimplantatie

  1. Hoe heet het defect dat achterblijft op een iets grotere diepte dan de grens tussen de oorspronkelijke amorfe laag en het kristal wanneer een amorf gemaakte laag opnieuw wordt gekristalliseerd?
  2. Welke omschrijving van het principe van ionenimplantatie is juist?
  3. Welke eenheid wordt gewoonlijk gebruikt om de versnellingsenergie bij ionenimplantatie uit te drukken?
  4. Welke combinatie van in silicium geïmplanteerde dopeerstof en geleidingstype is juist?
  5. Welk bereik komt het best overeen met het dosisbereik van ionenimplantatie dat bij de fabricage van LSI's wordt gebruikt?

Vergelijkingen bij dit onderwerp