Waarom wordt bij het implanteren van aluminium en dergelijke in SiC vaak geïmplanteerd terwijl de wafer tot enkele honderden °C wordt verhit (hogetemperatuurimplantatie)?

Antwoord: B. Om schade tijdens de implantatie te laten herstellen en moeilijk herstelbare schade zoals amorfisering te voorkomen

Bij implantatie met hoge dosis in SiC bij kamertemperatuur blijft gemakkelijk moeilijk herstelbare schade zoals amorfisering achter, en omdat dopeerstof in SiC nauwelijks diffundeert, wordt de door implantatie gemaakte verdeling ongewijzigd gebruikt. Als wordt geïmplanteerd terwijl de wafer op ongeveer 300-600 °C wordt verhit, herstelt een deel van de schade tijdens de implantatie en worden bij de daaropvolgende activeringsanneal bij 1600-1800 °C een goed kristal en een hoge activeringsgraad verkregen. Als masker dat tegen hoge temperatuur bestand is, wordt onder meer SiO2 gebruikt.