Ionenimplantatie

Wat is de juiste volgorde waarin ionen door een gangbare ionenimplanter gaan?

  1. AIonenbron → massa-analyse → versnellingsdeel → scannen → wafer
  2. BVersnellingsdeel → ionenbron → massa-analyse → wafer
  3. CMassa-analyse → ionenbron → wafer → versnellingsdeel
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Ionenbron → massa-analyse → versnellingsdeel → scannen → wafer

In de ionenbron wordt gas tot plasma gemaakt en worden ionen onttrokken, een massa-analysemagneet selecteert alleen de gewenste ionen en het versnellingsdeel versnelt ze tot de benodigde energie. Daarna wordt de bundel gescand en uniform over de hele wafer geïmplanteerd, en de dosis wordt met een Faraday-cup gemeten. Afhankelijk van het apparaat verschilt de volgorde, bijvoorbeeld eerst versnellen en dan analyseren, of met hoge energie transporteren en aan het eind afremmen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Ionenimplantatie

  1. Welke relatie tussen de range van arseen (massagetal 75) en fosfor (massagetal 31) is juist bij implantatie in silicium met dezelfde versnellingsenergie?
  2. Hoe groot is de energie van tweewaardige ionen (dubbele lading) die in een ionenimplanter met een versnelspanning van 50 kV worden versneld?
  3. Welke ionenimplanter wordt vooral gebruikt voor implantaties met een gemiddelde dosis, zoals de drempelspanningsinstelling van MOSFET's en wells?
  4. Hoe heet het paar van een vacature en een interstitieel atoom dat in het kristal ontstaat wanneer een geïmplanteerd ion een siliciumatoom wegslaat?
  5. Wat is de belangrijkste reden om de wafer tijdens ionenimplantatie met grote stroom te koelen?

Vergelijkingen bij dit onderwerp