Ionenimplantatie
Welke eigenschap van laser-anneal is juist?
- ADe hele wafer wordt lange tijd gelijkmatig verhit
- BEr wordt langzaam bij lage temperatuur verhit
- CAlleen de omgeving van het waferoppervlak kan gedurende een extreem korte tijd worden verhit, waarbij de diffusie wordt onderdrukt en een hoge activering wordt verkregen
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: C. Alleen de omgeving van het waferoppervlak kan gedurende een extreem korte tijd worden verhit, waarbij de diffusie wordt onderdrukt en een hoge activering wordt verkregen
Bij laser-anneal brengt laserlicht alleen de omgeving van het oppervlak gedurende een extreem korte tijd, van microseconden tot nanoseconden, op 1000 °C of hoger (afhankelijk van de omstandigheden dicht bij het smeltpunt). Omdat een hoge activering wordt verkregen voordat de dopeerstof nauwelijks diffundeert, kunnen ondiepe juncties met lage weerstand worden gemaakt. Omdat de warmte niet diep doordringt, wordt het ook gebruikt in processen waarbij onderliggende lagen niet mogen worden beschadigd, zoals de vorming van de achterzijdelaag van IGBT's en de vorming van transistors in bovenliggende gestapelde lagen.