Nederlands
Menu

Ionenimplantatie

Wat is het juiste doel van pre-amorphization implant (PAI)?

  1. AEen dikke oxidefilm op het waferoppervlak maken
  2. BMet Ge en dergelijke het oppervlak amorf maken, channeling bij de volgende implantatie onderdrukken en zo een ondiepe junctie verkrijgen
  3. CMetaalverontreiniging verwijderen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Met Ge en dergelijke het oppervlak amorf maken, channeling bij de volgende implantatie onderdrukken en zo een ondiepe junctie verkrijgen

Als eerst zware ionen zoals germanium of silicium worden geïmplanteerd om het oppervlak tot een diepte van enkele tientallen nm amorf te maken, verdwijnt de atoomorde, zodat channeling van het daarna geïmplanteerde boor en dergelijke wordt onderdrukt en een ondiepe junctie kan worden gemaakt. De amorfe laag herkristalliseert bij de anneal door vastefase-epitaxiale groei vanuit het onderliggende kristal; daarbij worden dopeerstoffen op roosterplaatsen opgenomen, wat het voordeel van een hoge activering heeft. Aan de grens kunnen EOR-defecten achterblijven.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Ionenimplantatie

  1. Wat wordt gebruikt om oplading (charge-up) van de wafer tijdens ionenimplantatie te onderdrukken?
  2. Eenwaardige ionen worden geïmplanteerd in een wafer met een oppervlak van 100 cm² met een dosis van 1×10¹⁵ ions/cm². Hoe lang duurt de implantatie ongeveer bij een bundelstroom van 1 mA? (Elementaire lading 1,6×10⁻¹⁹ C)
  3. Hoe heet bij de wellvorming in CMOS de well waarin met hoge-energie-ionenimplantatie de dopeerconcentratie dieper dan aan het oppervlak hoog is gemaakt?
  4. Wat is het belangrijkste doel van halo-(pocket-)implantatie, waarbij schuin dopeerstof van hetzelfde geleidingstype als het kanaal aan de rand van source en drain wordt geïmplanteerd?
  5. Waarom wordt voor het maken van een ondiepe p-laag soms BF2⁺-ionen in plaats van boor alleen geïmplanteerd?

Vergelijkingen bij dit onderwerp