Nederlands
Menu

Ionenimplantatie

Wat is het belangrijkste doel van het samen met boor implanteren (co-implantatie) van onder meer koolstof bij het maken van een ondiepe p-junctie?

  1. AHet p-type in n-type veranderen
  2. BDe wafer licht laten uitstralen
  3. CDe boordiffusie onderdrukken en de junctie ondiep houden
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. De boordiffusie onderdrukken en de junctie ondiep houden

De diffusie van boor wordt versneld met hulp van interstitieel silicium (transient enhanced diffusion). Als samen ongeveer 10¹⁵ cm⁻² koolstof wordt geïmplanteerd, vangt koolstof interstitieel silicium op en verbruikt dit, waardoor de boordiffusie wordt onderdrukt en de junctie ook na de anneal ondiep blijft. Co-implantatie van fluor of stikstof wordt voor een soortgelijk doel gebruikt. Omdat ook de diffusie van fosfor met koolstof kan worden onderdrukt, wordt soms ook koolstof toegevoegd aan Si:P-epi voor nMOS.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Ionenimplantatie

  1. Welk gas wordt kenmerkend gebruikt in de ionenbron van een ionenimplanter om boorionen te maken?
  2. Welk voorbeeld van een toepassing van ionenimplantatie met hoge energie tot enkele MeV is juist?
  3. Als dopeerstof met een dosis van 1×10¹⁵ cm⁻² uniform over een diepte van 100 nm is verdeeld, hoe groot is dan de gemiddelde concentratie ongeveer?
  4. Welke ionenimplantatie wordt gebruikt voor het afsplitsen van wafers (Smart Cut) en voor lifetimecontrole in vermogenscomponenten?
  5. Hoe heet het defect dat achterblijft op een iets grotere diepte dan de grens tussen de oorspronkelijke amorfe laag en het kristal wanneer een amorf gemaakte laag opnieuw wordt gekristalliseerd?

Vergelijkingen bij dit onderwerp