Hoe heet het verschijnsel waarbij in de beginfase van de anneal na ionenimplantatie de diffusie van boor en dergelijke tijdelijk sneller verloopt door de invloed van interstitieel silicium dat door de implantatie is ontstaan?

Antwoord: A. Transient enhanced diffusion (TED)

Overtollige interstitiële siliciumatomen die door ionenimplantatie ontstaan, vormen paren met boor en bevorderen de boordiffusie, zodat de diffusie in de beginfase van de anneal tijdelijk tientallen tot ongeveer duizend keer wordt versneld. Het verdwijnt wanneer het interstitiële silicium bijvoorbeeld aan het oppervlak verdwijnt, daarom heet het „transient” enhanced diffusion (TED); het effect is groter naarmate bij relatief lage temperatuur langer wordt verhit. Omdat het ondiepe juncties hindert, wordt het onderdrukt met spike-anneal, die snel naar hoge temperatuur gaat, en met co-implantatie van koolstof.