Nederlands
Menu

Ionenimplantatie

Wat gebeurt er in het algemeen met de laagweerstand van de geïmplanteerde laag als bij dezelfde annealomstandigheden de ionendosis wordt verhoogd?

  1. ADaalt
  2. BStijgt
  3. CVerandert niet
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Daalt

Naarmate de dosis hoger is, neemt de totale hoeveelheid dopeerstof in de geïmplanteerde laag toe en nemen ook de ladingdragers toe, dus de laagweerstand daalt. De laagweerstand is ongeveer „1/(q × actieve dosis × gemiddelde mobiliteit)”, met als richtwaarde rond 100 Ω/□ bij 10¹⁵ cm⁻². Boven de oplosbaarheid van de dopeerstof neemt echter de hoeveelheid niet volledig te activeren dopeerstof toe en daalt de mobiliteit, zodat de laagweerstand moeilijk daalt, ook als de dosis wordt verhoogd.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Ionenimplantatie

  1. Waarop moet worden gelet bij het gebruik van fotoresist als masker voor ionenimplantatie?
  2. Welk voordeel van plasma doping, waarbij de wafer rechtstreeks aan een dopeerstofhoudend plasma wordt blootgesteld en ionen met lage energie worden geïmplanteerd, is juist?
  3. Hoe heet het verschijnsel dat bij een gekantelde wafer bij ionenimplantatie delen niet worden geïmplanteerd omdat ze in de schaduw van hoge patronen zoals resist liggen?
  4. Welke eigenschap bepaalt de bovengrens van de concentratie die elektrisch kan worden geactiveerd wanneer dopeerstoffen bij de anneal worden geactiveerd?
  5. Welke eigenschap van laser-anneal is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp