Ionenimplantatie

Hoe groot is de energie van tweewaardige ionen (dubbele lading) die in een ionenimplanter met een versnelspanning van 50 kV worden versneld?

  1. A100 keV
  2. B25 keV
  3. C50 keV
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. 100 keV

De energie die een ion krijgt wordt bepaald door „lading × versnelspanning”: 50 keV voor eenwaardig, 100 keV voor tweewaardig en 150 keV voor driewaardig. Met deze eigenschap kan met een energie hoger dan de maximale spanning van het apparaat worden geïmplanteerd, wat wordt gebruikt voor onder meer de vorming van diepe wells. Meerwaardige ionen worden in de ionenbron echter in kleine hoeveelheden gevormd en de bundelstroom is klein, dus ze zijn niet geschikt voor hoge dosis. Omgekeerd worden moleculaire ionen gebruikt om de energie te verlagen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Ionenimplantatie

  1. Welke ionenimplanter wordt vooral gebruikt voor implantaties met een gemiddelde dosis, zoals de drempelspanningsinstelling van MOSFET's en wells?
  2. Hoe heet het paar van een vacature en een interstitieel atoom dat in het kristal ontstaat wanneer een geïmplanteerd ion een siliciumatoom wegslaat?
  3. Wat is de belangrijkste reden om de wafer tijdens ionenimplantatie met grote stroom te koelen?
  4. Welke verdeling van de door ionenimplantatie veroorzaakte kristalschade is in het algemeen juist?
  5. Welke methode wordt gewoonlijk gebruikt om dopeerstof in de polysiliciumgate-elektrode van een MOSFET in te brengen om die een lage weerstand te geven?

Vergelijkingen bij dit onderwerp