Hoe heet het defect dat achterblijft op een iets grotere diepte dan de grens tussen de oorspronkelijke amorfe laag en het kristal wanneer een amorf gemaakte laag opnieuw wordt gekristalliseerd?

Antwoord: A. EOR-defect (End of Range)

Direct onder de amorf gemaakte laag, aan de kristalzijde, verzamelt zich overtollig interstitieel silicium dat is weggeslagen. Ook als de amorfe laag erboven bij de anneal herkristalliseert, kan het interstitiële silicium op die plaats zich ophopen en defecten zoals dislocatielussen achterlaten; dit heet een EOR-defect (End of Range). Omdat het lekstroom veroorzaakt als het in de uitputtingszone van de junctie ligt, wordt de positionele relatie tussen de diepte van de amorfe laag en de junctie afgestemd met de implantatie- en annealomstandigheden.