Nederlands
Menu

Ionenimplantatie

Waarop moet worden gelet bij het gebruik van fotoresist als masker voor ionenimplantatie?

  1. AHoe dunner de resist, hoe beter
  2. BDe resist hoeft ook na de implantatie niet te worden verwijderd
  3. CDe resist moet voor de implantatie-energie dik genoeg zijn, zodat de ionen er niet doorheen dringen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. De resist moet voor de implantatie-energie dik genoeg zijn, zodat de ionen er niet doorheen dringen

Als de resist te dun is, dringen ionen met hoge energie erdoorheen en worden ook de afgedekte delen geïmplanteerd. Omdat resist een lage dichtheid heeft en ionen dieper dan in silicium doordringen, is in het algemeen een dikte van meerdere malen de ionenrange (Rp + enkele ΔRp) nodig, en bij implantaties in de MeV-klasse wordt dikke resist van enkele µm tot ongeveer 10 µm gebruikt. Bij implantaties met hoge dosis verkoolt en verhardt het resistoppervlak en is het moeilijk te verwijderen, dus ook de ashing-omstandigheden verdienen aandacht.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Ionenimplantatie

  1. Welk voordeel van plasma doping, waarbij de wafer rechtstreeks aan een dopeerstofhoudend plasma wordt blootgesteld en ionen met lage energie worden geïmplanteerd, is juist?
  2. Hoe heet het verschijnsel dat bij een gekantelde wafer bij ionenimplantatie delen niet worden geïmplanteerd omdat ze in de schaduw van hoge patronen zoals resist liggen?
  3. Welke eigenschap bepaalt de bovengrens van de concentratie die elektrisch kan worden geactiveerd wanneer dopeerstoffen bij de anneal worden geactiveerd?
  4. Welke eigenschap van laser-anneal is juist?
  5. Welke methode is juist om bij ionenimplantatie de dosis binnen het waferoppervlak uniform te maken?

Vergelijkingen bij dit onderwerp