Nederlands
Menu

Siliciumwafers

Welke waarde ligt het dichtst bij de gebruikelijke concentratie interstitieel zuurstof in een met de CZ-methode gegroeid siliciumkristal?

  1. ACirca 10¹⁸ cm⁻³
  2. BCirca 10²³ cm⁻³
  3. CCirca 10¹⁰ cm⁻³
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Circa 10¹⁸ cm⁻³

CZ-kristallen bevatten zuurstof die uit de kwartsen kroes is opgelost in een concentratie van circa 10¹⁷ tot 10¹⁸ cm⁻³ (enkele tot enkele tientallen ppma), waarvan het grootste deel op interstitiële posities zit. Deze zuurstof precipiteert bij warmtebehandeling en helpt bij gettering en maakt de wafer sterker doordat dislocaties worden vastgezet, maar een te hoge concentratie veroorzaakt defecten en thermische donoren. De concentratie wordt gemeten met infraroodabsorptie (absorptie bij een golflengte van circa 9 µm) en per toepassing binnen een smal bereik beheerd.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Siliciumwafers

  1. Welk slijpmiddel wordt in het algemeen gebruikt in de polijstvloeistof bij het spiegelpolijsten van siliciumwafers (finish-polijsten met CMP)?
  2. Wat is het juiste hoofdgebruik van n⁺-siliciumwafers met lage soortelijke weerstand en een hoge concentratie arseen of antimoon?
  3. Wanneer CZ-silicium rond 450 °C wordt verhit, kunnen zuurstofatomen zich verzamelen en als donor werken, waardoor de soortelijke weerstand van de wafer verandert. Hoe heet dit?
  4. Welke voorbehandelingsmethode lost, voor de gevoelige analyse van metaalverontreiniging aan het waferoppervlak, de oxidelaag aan het oppervlak op met waterstoffluoridedamp, verzamelt de verontreiniging in een druppel en brengt die in een analyseapparaat?
  5. Hoe heet de zeer geleidelijke oneffenheid aan het waferoppervlak met een golflengte van enkele mm en een hoogte van enkele tientallen nm?

Vergelijkingen bij dit onderwerp