Siliciumwafers

Welke omstandigheden worden tijdens het trekken voornamelijk aangepast om de diameter van een monokristallijne siliciumingot constant te houden?

  1. ATreksnelheid en smelttemperatuur
  2. BDe kleur van de ingot
  3. CDe helderheid van de verlichting in de fabriek
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Treksnelheid en smelttemperatuur

Bij de CZ-methode wordt de heldere ring (meniscus) op het grensvlak tussen kristal en smelt met een camera bewaakt, wordt hieruit de diameter bepaald, en worden de treksnelheid en het vermogen van de verwarming (smelttemperatuur) automatisch bijgeregeld om de diameter constant te houden. Sneller trekken maakt de ingot dunner en langzamer trekken dikker. Omdat de treksnelheid via V/G ook het type puntdefecten bepaalt dat in het kristal wordt opgenomen, is een nauwkeurige regeling nodig die zowel de diameter als de defecten in acht neemt.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Siliciumwafers

  1. Welke reden waarom SiC-wafers moeilijk te produceren en duur zijn, is juist?
  2. Hoeveel inch wordt een siliciumwafer met een diameter van 300 mm bij benadering genoemd?
  3. Hoe heet de cilindervormige massa monokristallijn silicium, gegroeid met onder meer de CZ-methode, voordat deze tot wafers wordt gesneden?
  4. Wat is de juiste belangrijkste reden waarom siliciumwafers rond zijn?
  5. Welke combinatie van Japanse bedrijven die een groot aandeel hebben op de wereldmarkt voor siliciumwafers is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp