Nederlands
Menu

Siliciumwafers

Welke kristaloriëntatie wordt in het algemeen gebruikt voor siliciumwafers voor CMOS-LSI's?

  1. A(111)
  2. B(100)
  3. C(211)
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. (100)

Voor CMOS-LSI's worden in het algemeen wafers met een (100)-vlak gebruikt. Het (100)-vlak heeft per oppervlakteatoom minder open bindingen en de dichtheid van grensvlaktoestanden aan het grensvlak met SiO2 is met ongeveer 1/10 van die van het (111)-vlak laag, zodat de drempelspanning stabiel is en de MOS-transistors goede eigenschappen hebben. Ook de elektronenmobiliteit is bij het (100)-vlak hoog. Het (111)-vlak oxideert sneller en werd vroeger onder meer voor bipolaire componenten gebruikt.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Siliciumwafers

  1. Welk verband tussen de soortelijke weerstand van een siliciumwafer en de concentratie van de toegevoegde onzuiverheid is juist?
  2. Welke waarde ligt het dichtst bij de standaarddikte van een siliciumwafer van 300 mm?
  3. Wat is het belangrijkste doel van het regelen van de verhouding (V/G) tussen de treksnelheid van het kristal en de temperatuurgradiënt in het kristal bij de CZ-methode?
  4. Wat is de typische productiemethode voor zeer zuiver polykristallijn silicium?
  5. Hoe heet een wafer die los van productwafers door het proces wordt gestuurd om onder meer de toestand van apparatuur te controleren en laagdiktes te meten?

Vergelijkingen bij dit onderwerp