Wat is het doel van het dun laten groeien (necking) van het kristal direct na het zaadkristal aan het begin van het trekken bij de CZ-methode?

Antwoord: C. De dislocaties die bij onderdompeling van het zaadkristal in de smelt door thermische schok zijn ontstaan naar buiten het kristal laten verdwijnen, zodat een dislocatievrij kristal ontstaat

Wanneer het zaadkristal in de hete smelt wordt gedompeld, ontstaan door thermische schok dislocaties. Als het kristal met een diameter van circa 3 tot 5 mm dun wordt gegroeid, lopen de dislocaties doordat ze schuin ten opzichte van de groeirichting verlopen naar het kristaloppervlak uit, en daarna kan een dislocatievrij monokristal dik worden gegroeid (Dash-methode, 1958). Ook ingots van enkele honderden kg bij 300 mm worden aan deze dunne hals omhooggetrokken.