Wat is het juiste hoofdgebruik van n⁺-siliciumwafers met lage soortelijke weerstand en een hoge concentratie arseen of antimoon?

Antwoord: C. Substraat waarop een epitaxiale laag met lage concentratie wordt gegroeid, en substraat aan de drainzijde van verticale vermogenscomponenten

N⁺-wafers met een hoge concentratie en lage soortelijke weerstand (circa 0,001 tot 0,01 Ω·cm) worden gebruikt als substraat van epiwafers waarop een epitaxiale laag met lage concentratie is gegroeid. Bij verticale vermogens-MOSFET's en diodes vloeit de stroom verticaal door het substraat, zodat een lage substraatweerstand de aan-weerstand verlaagt. Vanwege de eigenschappen op het gebied van segregatie en verdamping worden arseen, antimoon en fosfor naar behoefte gekozen, en het onderdrukken van uitdiffusie naar de epilaag (autodoping) is een aandachtspunt.