Nederlands
Menu

Siliciumwafers

Welk effect heeft interstitieel zuurstof in CZ-silicium op de mechanische sterkte van de wafer vergeleken met FZ-silicium?

  1. AMet zuurstof breekt de wafer altijd gemakkelijker
  2. BHet heeft geen invloed op de mechanische sterkte
  3. CDoordat zuurstof dislocaties vastzet en moeilijker beweeglijk maakt, is de wafer beter bestand tegen slip tijdens warmtebehandeling
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Doordat zuurstof dislocaties vastzet en moeilijker beweeglijk maakt, is de wafer beter bestand tegen slip tijdens warmtebehandeling

Interstitieel zuurstof verzamelt zich rond dislocaties, zet ze vast en maakt ze moeilijker beweeglijk. Daarom zijn CZ-wafers met zuurstof meestal beter bestand tegen slip en kromtrekken tijdens warmtebehandeling dan FZ-wafers met weinig zuurstof. Dit is een belangrijke eigenschap voor LSI's die vele hogetemperatuurprocessen doorlopen, en een van de redenen waarom CZ-wafers worden gebruikt voor LSI's met grote diameter. Bij te sterke zuurstofprecipitatie kan de wafer juist gemakkelijker kromtrekken.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Siliciumwafers

  1. Welk effect is bekend van het toevoegen van een geringe hoeveelheid stikstof (stikstofdotering) tijdens de groei van CZ-kristal?
  2. Welke methode etst defecten selectief ondiep, zodat dislocaties en stapelfouten in siliciumkristal met een optische microscoop kunnen worden waargenomen?
  3. Hoe heet de periodieke strookvormige verandering van de concentratie van dopanten of zuurstof in CZ-kristal, veroorzaakt door onder meer temperatuurschommelingen aan het groeigrensvlak van het kristal?
  4. Langs welk kristalvlak breekt (splijt) monokristallijn silicium het gemakkelijkst?
  5. Welke methode wordt het meest gebruikt voor de productie van monokristallijn silicium voor LSI's?

Vergelijkingen bij dit onderwerp