Welke voorbehandelingsmethode lost, voor de gevoelige analyse van metaalverontreiniging aan het waferoppervlak, de oxidelaag aan het oppervlak op met waterstoffluoridedamp, verzamelt de verontreiniging in een druppel en brengt die in een analyseapparaat?

Antwoord: C. VPD-methode (damp-fase decompositie)

Bij de VPD-methode wordt het natuurlijke oxide aan het waferoppervlak met waterstoffluoridedamp ontbonden en wordt met een kleine druppel over het oppervlak gescand om metaalonzuiverheden te verzamelen en op te vangen. Wordt de opgevangen vloeistof met ICP-MS of totale-reflectie-röntgenfluorescentie (TXRF) geanalyseerd, dan kan de metaalverontreiniging over de hele wafer worden gemeten met een gevoeligheid van circa 10⁸ tot 10⁹ atomen/cm². Het is een onmisbare methode voor het bewaken van verontreiniging door apparatuur en chemicaliën en voor het beoordelen van reinigingsprocessen.