Nederlands
Menu

Siliciumwafers

Wanneer CZ-silicium rond 450 °C wordt verhit, kunnen zuurstofatomen zich verzamelen en als donor werken, waardoor de soortelijke weerstand van de wafer verandert. Hoe heet dit?

  1. AGettersite
  2. BThermische donor
  3. CDiepe acceptor
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Thermische donor

Wanneer CZ-silicium met interstitieel zuurstof bij 350 tot 500 °C wordt verhit, ontstaan clusters van enkele zuurstofatomen die als donor werken en elektronen afgeven (thermische donor). Ze vormen zich het snelst rond 450 °C en bereiken maximaal circa 10¹⁶ cm⁻³, zodat vooral bij p-type wafers met lage concentratie de soortelijke weerstand sterk verandert of het type omslaat naar n. Ze kunnen worden gedoofd met een korte warmtebehandeling bij circa 650 °C of hoger, wat bij de levering van de wafer wordt uitgevoerd.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Siliciumwafers

  1. Welke voorbehandelingsmethode lost, voor de gevoelige analyse van metaalverontreiniging aan het waferoppervlak, de oxidelaag aan het oppervlak op met waterstoffluoridedamp, verzamelt de verontreiniging in een druppel en brengt die in een analyseapparaat?
  2. Hoe heet de zeer geleidelijke oneffenheid aan het waferoppervlak met een golflengte van enkele mm en een hoogte van enkele tientallen nm?
  3. Welk effect heeft interstitieel zuurstof in CZ-silicium op de mechanische sterkte van de wafer vergeleken met FZ-silicium?
  4. Welk effect is bekend van het toevoegen van een geringe hoeveelheid stikstof (stikstofdotering) tijdens de groei van CZ-kristal?
  5. Welke methode etst defecten selectief ondiep, zodat dislocaties en stapelfouten in siliciumkristal met een optische microscoop kunnen worden waargenomen?

Vergelijkingen bij dit onderwerp