Nederlands
Menu

Siliciumwafers

Welke polijstmethode is gebruikelijk voor wafers van 300 mm?

  1. ABeide zijden, voor- en achterzijde, polijsten om een hoge vlakheid te verkrijgen
  2. BAlleen één zijde polijsten en de achterzijde ruw laten
  3. CEr wordt niet gepolijst
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Beide zijden, voor- en achterzijde, polijsten om een hoge vlakheid te verkrijgen

Om aan de strenge eisen voor vlakheid van wafers van 300 mm te voldoen, is dubbelzijdig polijsten gebruikelijk, waarbij voor- en achterzijde tegelijk tussen een boven- en onderplaat worden gepolijst; de diktevariatie (GBIR) wordt hierbij gelijkgemaakt tot 1 µm of minder. Daarna wordt alleen de voorzijde met finish-polijsten tot een spiegel afgewerkt. Doordat ook de achterzijde glad wordt, is de vervorming bij het aanzuigen op de tafel van de belichtingsapparatuur klein en wordt deeltjesvorming beperkt. Bij 200 mm en kleiner was enkelzijdig polijsten gangbaar.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Siliciumwafers

  1. Hoe heet een gebruikte monitorwafer waarvan de lagen aan het oppervlak zijn verwijderd en die opnieuw is gepolijst zodat hij weer kan worden gebruikt?
  2. Welke methode wordt gebruikt om de soortelijke weerstand van een wafer contactloos te meten?
  3. Welke methode zet FZ-silicium door bestraling met neutronen om, waarbij een deel van het silicium in fosfor verandert tot homogeen n-type?
  4. Welke methode onderdrukt bij de CZ-methode de convectie van de smelt door een magneetveld aan te leggen op de kroes, om onder meer de zuurstofconcentratie te regelen?
  5. Welke omstandigheden worden tijdens het trekken voornamelijk aangepast om de diameter van een monokristallijne siliciumingot constant te houden?

Vergelijkingen bij dit onderwerp