Nederlands
Menu

Siliciumwafers

Welk effect is bekend van het toevoegen van een geringe hoeveelheid stikstof (stikstofdotering) tijdens de groei van CZ-kristal?

  1. AHet bevordert de zuurstofprecipitatie en verkleint de holten (voids) van vacatureclusters die in het kristal worden opgenomen
  2. BDe diameter van het kristal neemt automatisch toe
  3. CHet kristal wordt n-type met hoge concentratie
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Het bevordert de zuurstofprecipitatie en verkleint de holten (voids) van vacatureclusters die in het kristal worden opgenomen

Wordt een geringe hoeveelheid stikstof van circa 10¹³ tot 10¹⁵ cm⁻³ toegevoegd, dan ontstaan gemakkelijker kernen voor zuurstofprecipitatie, waardoor het getterend vermogen toeneemt, en worden de holtedefecten (COP) die door samenklonterende vacatures ontstaan kleiner, zodat ze bij latere warmtebehandeling gemakkelijker verdwijnen. Er is ook een effect dat dislocaties worden vastgezet en de wafer sterker wordt. De toegevoegde hoeveelheid is zeer gering, zodat de invloed als donor nauwelijks een probleem is. Het wordt gebruikt bij onder meer gegloeide wafers.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Siliciumwafers

  1. Welke methode etst defecten selectief ondiep, zodat dislocaties en stapelfouten in siliciumkristal met een optische microscoop kunnen worden waargenomen?
  2. Hoe heet de periodieke strookvormige verandering van de concentratie van dopanten of zuurstof in CZ-kristal, veroorzaakt door onder meer temperatuurschommelingen aan het groeigrensvlak van het kristal?
  3. Langs welk kristalvlak breekt (splijt) monokristallijn silicium het gemakkelijkst?
  4. Welke methode wordt het meest gebruikt voor de productie van monokristallijn silicium voor LSI's?
  5. Welke waferdiameter is momenteel de gangbare in de massaproductielijnen voor de meest geavanceerde logica en geheugens?

Vergelijkingen bij dit onderwerp