Welke typische productiemethode voor SOI-wafers is juist?

Antwoord: C. Een wafer waarin waterstofionen zijn geïmplanteerd wordt op een andere wafer gebonden en op de implantatiediepte afgesplitst, zodat een dunne siliciumlaag overblijft

Bij de Smart-Cut-methode wordt een wafer waarvan het oppervlak thermisch is geoxideerd en waarin waterstofionen tot een diepte van enkele honderden nm zijn geïmplanteerd, op een draagsubstraat gebonden. Bij een warmtebehandeling van enkele honderden °C vormt de geïmplanteerde waterstof microscopische holten die zich tot een laag verbinden, waarna de wafer op die diepte splitst en een SOI-wafer met een dunne monokristallijne siliciumlaag op het oxide overblijft. Het oppervlak wordt met CMP afgewerkt en de dikte wordt op enkele nm nauwkeurig ingesteld. De overgebleven afgesplitste wafer kan worden herpolijst en hergebruikt.